W系膜の成膜方法およびW系膜

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003019309
Publication number (International publication number)：2004231995
Application date： Jan. 28, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

【課題】下地の膜質に悪影響を与えることなく、かつ膜質を低下させることなくWNを含むW系膜を成膜することができるW系膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】被処理基板1上にW(CO)6ガスを用いたCVDによりW膜2を成膜し(工程1)、そのようにして成膜したW膜2の一部または全部をN2ガスを含むプラズマで窒化してWN膜3とし(工程2)、W系膜を得る。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被処理基板上にW(CO)6ガスを用いたCVDによりW膜を成膜する工程と、前記W膜の一部または全部をN2ガスを含むプラズマで窒化する工程とを具備することを特徴とするW系膜の成膜方法。

IPC (6)：

C23C8/36 , C23C16/16 , C23C16/56 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205

FI (6)：

C23C8/36 , C23C16/16 , C23C16/56 , H01L21/28 301R , H01L21/285 C , H01L21/88 R

F-Term (39)：

4K028BA02 , 4K028BA11 , 4K028BA21 , 4K030AA12 , 4K030BA20 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 4M104BB18 , 4M104BB33 , 4M104CC05 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD86 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH34 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ34 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ90 , 5F033QQ98 , 5F033VV06 , 5F033WW03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

バリアメタル、その形成方法、ゲート電極及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-207198 Applicant：東京エレクトロン株式会社
W(CO)6からのタングステン膜の堆積方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-266507 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
表面処理方法及び表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-374359 Applicant：株式会社日立製作所

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