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J-GLOBAL ID：200903044082603096

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 南幅 学
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996193477
Publication number (International publication number)：1998041298
Application date： Jul. 23, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 Cu又はCuを主成分とする合金を配線等に用いた場合に、工程数の大幅な増加やコンタクト抵抗の大幅な増大等なしにCu表面の酸化を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 銅又は銅を主成分とする合金からなる導電体層18を有し、この導電体層18の表面から少なくとも10nmの深さにわたって1020cm-3乃至1023cm-3の濃度のフッ素が含有されている。

Claim (excerpt)：

銅又は銅を主成分とする合金からなる導電体層を有し、この導電体層の表面から少なくとも10nmの深さにわたって1020cm-3乃至1023cm-3の濃度のフッ素が含有されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/60 301

FI (3)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/60 301 P