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J-GLOBAL ID：200903044092028120

半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法

Inventor： 牛越 貴俊
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992203749
Publication number (International publication number)：1994053333
Application date： Jul. 30, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置における深い、浅い複数のコンタクト孔の形成方法に関するもので、コンタクト孔形成のためのエッチングがオーバーエッチングにならないようにするとともに、工程の繁雑さを解消することを目的とするものである。【構成】 コンタクト孔を形成する絶縁膜5上にホトリソグラフィ反射防止膜(実施例ではTiN膜)14を形成した後、それを利用してコンタクト孔6a,7a,8aを形成するようにしたものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上にホトリソグラフィ反射防止膜を形成した後、コンタクト孔を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/302