絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991035484
Publication number (International publication number)：1993021794
Application date： Feb. 04, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】ゲート電極周囲に絶縁膜を形成し、非感光性の半導体を用いることで、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを画素の駆動素子としたアクティブ型の液晶表示装置等の表示装置の特性、信頼性を高めることを目的とする。【構成】ゲート電極周囲に酸化アルミニウムの絶縁膜(40)を設けることによって、ソース領域5、5, 、ドレイン領域6、6, への給電点とチャネル端部との距離を短くした絶縁ゲイト型電界効果トランジスタであって、さらにこの絶縁ゲイト型電界効果トランジスタのソース、ドレイン、チャネル形成領域となる半導体膜2、2, は、非感光性を持たせるために酸素、炭素または窒素が1×1020cm-3以上、20原子%以下含まれていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた薄膜型構造の絶縁ゲイト型電界効果半導体装置であって、ゲート電極にアルミニウムを用い、かつゲート電極の周囲の少なくとも一部がアルミニウムの酸化物でおおわれており、またチャネル形成領域を構成する半導体は絶縁物に挟まれ、酸素、炭素または窒素が1×1020cm -3 以上、20原子%以下を含有するシリコン半導体を主成分とするとともに、結晶性を有することを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/784 , H01L 27/092 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L 29/78 311 G , H01L 27/08 321 M , H01L 29/78 311 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開昭62-042566
特開昭63-178560
特開昭51-001081

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