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J-GLOBAL ID：200903044129976767

ウエハの微細加工法およびそれに用いる装置

Inventor： 吉野 明 ,  横山 敬志 ,  山本 和馬
Applicant, Patent owner： 大同ほくさん株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995302750
Publication number (International publication number)：1997148306
Application date： Nov. 21, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】溶融蒸発物の再付着が生じず、しかも単一工程で高精度の加工を施すことのできる、優れたウエハの微細加工法およびそれに用いる装置を提供する。【解決手段】ウエハ12表面にエッチングガスを供給するとともに、ウエハ12表面の溝加工予定部の一個所にレーザ照射もしくは光子照射を行い、上記エッチングガスのガス成分を上記照射部において励起し、上記ウエハ12の構成成分と上記励起されたガス成分とを化学反応させて揮発除去することによりウエハ12表面に凹部を形成し、その状態で上記照射部を溝加工予定部に沿って相対的に移動させることにより溝加工予定部に溝を形成するようにした。

Claim (excerpt)：

ウエハ表面に微細な溝加工を施す方法であって、上記ウエハ表面にエッチングガスを供給するとともに、ウエハ表面の溝加工予定部の一個所にレーザ照射もしくは光子照射を行い、上記エッチングガスのガス成分を上記照射部において励起し、上記ウエハの構成成分と上記励起されたガス成分とを化学反応させて揮発除去することによりウエハ表面に凹部を形成し、その状態で上記照射部を溝加工予定部に沿って相対的に移動させることにより溝加工予定部に溝を形成するようにしたことを特徴とするウエハの微細加工法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/302

FI (5)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-091425
  
• 特開平2-288333
  
• 特開昭57-202732
  
• 特開昭62-086730