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J-GLOBAL ID：200903044130724488

薄膜トランジスタ及びそのアレイ

Inventor： 山内 隆夫
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998184245
Publication number (International publication number)：2000022156
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 露光誤差等に起因する寄生容量の変動を低減すること。【解決手段】 ソース電極9及びドレイン電極10はそれぞれ、半導体層7と平面的に重なる領域に平面がT字形状を成す部分91,101を備えている。ゲート電極5は、基部パターン51と先端パターン53を細幅の連結部52を介して接続し、この連結部52の両側に所定幅の溝部54を形成した平面形状としている。ソース電極9及びドレイン電極10は、T字の横棒部分92,102が連結部52を挟んで互いに向かい合うように、かつT字の縦棒部分93,103がゲート電極5と平面的に重ならないように溝部54に対応して配置して薄膜トランジスタを構成した。

Claim (excerpt)：

チャンネル領域を形成する半導体層と、該半導体層を介在して対向配置したソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極と平面的な重なりを持つように前記半導体層の上もしくは下に絶縁層を介して配置したゲート電極を備える薄膜トランジスタにおいて、前記ソース及びドレイン電極はそれぞれ、前記半導体層と平面的に重なる領域に平面がT字形状を成す部分を備えて構成し、前記ゲート電極は、基部パターンと先端パターンを細幅の連結部を介して接続し、この連結部の両側に所定幅の溝部を形成した平面形状で構成し、前記ソース及びドレイン電極は、T字の横棒部分が前記連結部を挟んで互いに向かい合うように、かつT字の縦棒部分が前記ゲート電極と平面的に重ならないように前記溝部に対応して配置したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (3)：

H01L 29/78 616 T ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 K

F-Term (39)：

2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JB02 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB54 ,  2H092JB56 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KB05 ,  2H092KB14 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA22 ,  2H092MA27 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA01 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA06 ,  2H092QA07