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J-GLOBAL ID：200903044139762870
誘電体薄膜及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993079721
Publication number (International publication number)：1994290983
Application date： Apr. 06, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 強誘電性、焦電性、圧電性等の電気的特性を損なうことなく(Pb<SB></SB><SB>1-x </SB>La<SB>x </SB>)(Zr<SB>y </SB>Ti<SB>1-y </SB>)<SB>1-x/4 </SB>O<SB>3 </SB>(0≦x<1、0<y<1)薄膜を作製する。【構成】 まず、Pb、La及びTiターゲット8、9及び11にそれぞれアルゴンイオンビームを照射し、(Pb<SB>1-x </SB>La<SB>x </SB>)Ti<SB>1-x/4 </SB>O<SB>3 </SB>(x=0.15)の組成を有する膜厚約30オングストロームのPLT層2を基板1上に形成する。次いで、Pb、Zr及びTiターゲット8、10及び11によるイオンビームスパッタリングを行い、PLT薄膜2の上に(Pb<SB>1-x </SB>La<SB>x </SB>)(Zr<SB>y </SB>Ti<SB>1-y </SB>)<SB>1-x/4 </SB>O<SB>3 </SB>(x=0、y=0.50)の組成を有する膜厚約700オングストロームのPLZT薄膜3を形成する。
Claim (excerpt)：
Zrを含まないペロブスカイト型誘電体薄膜と、Zrを含むペロブスカイト型誘電体薄膜との積層構造を有する誘電体薄膜。
IPC (9)：
H01G 4/06 102
, C04B 35/46
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, H01G 4/10
, H01L 21/285
, H01L 21/64
, H01L 41/08
, H01L 27/108
H01L 41/08 Z
, H01L 27/10 325 J
