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J-GLOBAL ID：200903044150878813

シリコン薄膜の膜厚測定方法並びにその方法によりシリコン薄膜の膜厚が測定される半導体素子及び半導体装置

Inventor： 高倉 信之 ,  安池 則之 ,  安田 正治
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 安藤 淳二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001024925
Publication number (International publication number)：2002228420
Application date： Jan. 31, 2001
Publication date： Aug. 14, 2002
Summary：

【要約】【課題】 完成品とされた状態でも、シリコン薄膜の膜厚を非破壊で測定することのできるようにする。【解決手段】 シリコン薄膜1bを有してなる半導体素子10のそのシリコン薄膜1bの膜厚を測定するシリコン薄膜の膜厚測定方法であって、シリコン薄膜1bの表面へ向かって、0.9μm以上の波長を有した赤外線を照射し、シリコン薄膜1bの表面による反射光L2とシリコン薄膜1bの裏面による反射光L3との干渉結果に基づいて、シリコン薄膜1bの膜厚を測定するようにしている。

Claim (excerpt)：

シリコン薄膜を有してなる半導体素子のそのシリコン薄膜の膜厚を測定するシリコン薄膜の膜厚測定方法であって、シリコン薄膜の表面へ向かって、0.9μm以上の波長を有した赤外線を照射し、シリコン薄膜の表面による反射光とシリコン薄膜の裏面による反射光との干渉結果に基づいて、シリコン薄膜の膜厚を測定することを特徴とするシリコン薄膜の膜厚測定方法。

IPC (2)：

G01B 11/06 ,  H01L 21/66

FI (2)：

G01B 11/06 G ,  H01L 21/66 P

F-Term (12)：

2F065AA30 ,  2F065BB17 ,  2F065CC02 ,  2F065DD00 ,  2F065FF52 ,  2F065GG22 ,  2F065HH04 ,  2F065HH12 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03