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J-GLOBAL ID：200903044151687809

液晶性導電素子

Inventor： 坪山 明 ,  岡田 伸二郎 ,  滝口 隆雄 ,  森山 孝志
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000238688
Publication number (International publication number)：2002050485
Application date： Aug. 07, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 金属原子を含む金属錯体液晶の自己組織性による配向秩序度に由来する良好な電流特性を利用した性能の高い液晶性導電素子を提供する。【解決手段】 一対の電極間に少なくとも1層の液晶化合物層が配置され、該液晶化合物層が少なくとも金属原子を1つ含む金属錯体液晶化合物から構成される液晶性導電素子。金属錯体液晶化合物が、一般式(1)で表されるフタロシアニン金属錯体液晶である。【化1】(Mは金属原子、Rはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ハロアルキル基、ハロアルコキシ基またはハロアルキルチオ基を示す)

Claim (excerpt)：

一対の電極間に少なくとも1層の液晶化合物層が配置され、該液晶化合物層が少なくとも金属原子を1つ含む金属錯体液晶化合物から構成されていることを特徴とする液晶性導電素子。

IPC (6)：

H05B 33/22 ,  H01L 51/00 ,  H05B 33/14 ,  C07D487/22 ,  C07F 1/08 ,  C07F 5/06

FI (6)：

H05B 33/22 D ,  H05B 33/14 A ,  C07D487/22 ,  C07F 1/08 C ,  C07F 5/06 F ,  H01L 29/28

F-Term (14)：

3K007AB06 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA02 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4C050PA12 ,  4H048AB64 ,  4H048VA56 ,  4H048VA80 ,  4H048VB10