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J-GLOBAL ID：200903044159786318
光起電力素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992283052
Publication number (International publication number)：1995263729
Application date： Oct. 21, 1992
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】平滑な金属層と、テクスチャー構造の透明層からなる、改善された裏面反射層を持つ薄膜半導体太陽電池。【構成】 基板101上に、Si、Cu、Zn、Mnの内少なくとも1種を含むアルミニウム層102を形成し、次いで透明層103を設けてなる少なくともその表面が適当なピッチで凹凸を持つテクスチャー構造となった裏面反射層を形成し、その上に薄膜半導体接合104、透明電極108を形成してなる薄膜半導体太陽電池。薄膜半導体接合の表面は裏面反射層と同等のテクスチャー構造となっていることが望ましい。【効果】 太陽光に対する反射率が高く、且つ光トラップ効果の高い裏面反射層となるため、太陽電池の変換効率が高まる。またアルミニウム原子の透明層さらには半導体層への拡散が少ないので、透明層や薄膜半導体接合の特性の変動が少なく、信頼性が高い。
Claim (excerpt)：
金属層と、該金属層上に透明層と、該透明層上に光電変換を有する半導体層とを有し、前記金属層がシリコン、銅、亜鉛、マンガンのうち少なくとも一つを有するアルミニウムであることを特徴とする光起電力素子。
FI (2)：
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 F
Cited by examiner (6)
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