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J-GLOBAL ID：200903044166449874

強誘電体構造物、これの製造方法、これを含む半導体装置及びそれの製造方法

Inventor： 劉 東哲 ,  ▲ペ▼ 丙才 ,  林 志▲ウン▼ ,  任 桐賢 ,  金 名坤
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006061486
Publication number (International publication number)：2006270095
Application date： Mar. 07, 2006
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：

【課題】向上された特性を有する強誘電体構造物、これの製造方法、これを含む半導体装置及びそれの製造方法が開示される。【解決手段】イリジウムを含む下部電極を形成した後、下部電極上に有機金属化学気相蒸着工程で形成されたPZTを含む強誘電体層を形成する。強誘電体層上に銅、鉛、又はビスマスが約2〜5原子量%の濃度でドープされたストロンチウムルテニウム酸化物及びイリジウムを含む上部電極を形成する。ストロンチウムルテニウム酸化物などの金属酸化物を上部電極及び/又は下部電極に適用することで、上部と下部電極との間に位置する強誘電体層の誘電特性を大きく改善することができ、上部電極及び下部電極を形成する間に発生する工程上のパーティクル問題を解決することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1金属を含む下部電極と、 前記下部電極上に形成された強誘電体層と、 前記強誘電体層上に形成され、第2金属がドープされた第1金属酸化物及び第3金属を含む上部電極と、を具備することを特徴とする強誘電体構造物。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (1)：

H01L27/10 444B

F-Term (22)：

5F083FR02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083JA56 ,  5F083MA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F083PR34 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 米国特許第6,351,006号明細書
  
• 米国特許第6,194,228号明細書
  
• 米国特許出願公報第2003/0102500号明細書