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J-GLOBAL ID：200903044168790190

半導体装置及びその製造方法あるいはその半導体装置を使用した電子機器

Inventor： 加藤 健二 ,  斉藤 豊 ,  新荻 正隆 ,  佐藤 恵二 ,  小島 芳和 ,  小山内 潤
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995215615
Publication number (International publication number)：1996335709
Application date： Aug. 24, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【課題】 シリコン基板上のショットキーバリアダイオードをブリッジ型に4つ組み合わせた半導体装置の各ショットキーバリアダイオードの電圧-電流特性における順方向の立ち上がり電圧が大きく、低電圧低消費電力にならず、生産コスが高い。【解決手段】 各ショットキーバリアダイオードをメサ状に形成し、各ショットキーバリアダイオードのショットキー接合部に高抵抗ポリシリコンや10Å以下の酸化膜や複数の中間遷移準位を形成し、ショットキーバリアダイオードに代わってMOSトランジスタを形成した構成とする。半導体装置とアンテナと電源回路とセンサまたはインジゲータまたはメモリからなる装置を構成する

Claim (excerpt)：

支持基板上に電気的に分離した複数の半導体基板を有し、前記半導体基板にショットキー接合と前記ショットキー接合と電気的に接続したオーミック接合を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/872 ,  H01L 27/12

FI (3)：

H01L 29/48 P ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/48 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-158566
  
• 特開平2-095266
  
• 特開平3-051733