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J-GLOBAL ID：200903044177145044

薄膜絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998348790
Publication number (International publication number)：1999284202
Application date： Nov. 10, 1990
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：
【要約】【課題】不純物の拡散を防止し、信頼性の高い薄膜絶縁ゲイト型半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明によると、絶縁性基板上に設けられた複数の絶縁膜で構成される絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた半導体層と、を有する薄膜絶縁ゲイト型半導体装置において、前記絶縁層の前記半導体層に接する絶縁膜は、リンが1×1019〜5×1020cm-3含まれた酸化珪素膜であることを特徴とする薄膜絶縁ゲイト型半導体装置が提供される。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に設けられた複数の絶縁膜で構成される絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた半導体層と、を有する薄膜絶縁ゲイト型半導体装置において、前記絶縁層の前記半導体層に接する絶縁膜は、リンが1×1019〜5×1020cm-3含まれた酸化珪素膜であることを特徴とする薄膜絶縁ゲイト型半導体装置。
IPC (8)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78
FI (8)：
H01L 29/78 617 S ,  H01L 21/283 L ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 21/322 R ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
  • 特開昭58-164268
  • 特開昭58-164268
  • 特開昭48-101087
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