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J-GLOBAL ID：200903044179482102
光電変換装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993058289
Publication number (International publication number)：1994275860
Application date： Mar. 18, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：
【要約】【目的】 光電変換装置に関し、キャリヤ走行時間の差や接合容量に起因する周波数特性の劣化が小さく、〔GHz〕オーダの周波数帯でも光電変換効率が低下しないようにする。【構成】 n-InP基板11及び光に対して透明なノンドープInP接合容量低減層13及びノンドープInGaAs光吸収層14及び光に対して透明なノンドープInP接合容量低減層15及びp-InPウインドウ領域17を順に積層してなる積層構造を備え、光吸収層14で生成されたキャリヤのうちn-InP基板11に到達する電子の走行時間及びp-InPウインドウ領域17に到達する正孔の走行時間が略一致するよう接合容量低減層13及び15の厚さを定めてある。
Claim (excerpt)：
n型半導体層及び光に対して透明なノンドープの半導体からなる厚さd1 の接合容量低減層及び光吸収層及び光に対して透明なノンドープの半導体からなる厚さd2 の接合容量低減層及びp型半導体層を順に積層してなる積層構造を備え、d1 /Ve =d2 /VpVe :厚さd1 の接合容量低減層を電子が走行する速度Vp :厚さd2 の接合容量低減層を正孔が走行する速度の式を満たす厚さd1 及び厚さd2 を選択してなることを特徴とする光電変換装置。
Patent cited by the Patent：
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