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J-GLOBAL ID：200903044181913749

ナノ構造薄膜の形成方法

Inventor： 伊東 雅之 ,  中尾 正史
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000173822
Publication number (International publication number)：2001348657
Application date： Jun. 09, 2000
Publication date： Dec. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】 一般的形成法を工夫して、可能な限りの形成法の自由度を拡大し、磁気的、光学的メモリ及び光素子に利用可能となる微小周期的構造の新しい形成法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板2の上に1ミクロン以下の周期性を有するマスク1を形成し、蒸着により該マスク1の周期性に対応した周期性を有する薄膜3を該基板2の上に形成する薄膜製造方法において、該マスク1の側壁部分への蒸着を促進して該薄膜3の垂直性を向上させるように、該蒸着を該基板2に対して斜めの角度で行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板の上に1ミクロン以下の周期性を有するマスクを形成し、蒸着により該マスクの周期性に対応した周期性を有する薄膜を該基板の上に形成する薄膜製造方法において、該マスクの側壁部分への蒸着を促進して該薄膜の垂直性を向上させるように、該蒸着を該基板に対して斜めの角度で行うことを特徴とするナノ構造薄膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 14/24 ,  H01F 41/20 ,  H01L 21/203

FI (3)：

C23C 14/24 R ,  H01F 41/20 ,  H01L 21/203 Z

F-Term (17)：

4K029BA12 ,  4K029BA17 ,  4K029BA41 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029CA01 ,  4K029HA03 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA22 ,  5E049HC01 ,  5F103AA01 ,  5F103DD28 ,  5F103GG06 ,  5F103HH03 ,  5F103RR06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-101946
  
• 特開平4-131370