集積回路

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996062377
Publication number (International publication number)：1997260592
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】ゲート駆動型半導体素子を制御する集積回路において、低コストで、温度依存性が少ない電流検出を可能とすること。【解決手段】IGBT1は負荷4と接続し、電流検出用のセンスIGBT2の補助エミッタ端子3は電流検出用抵抗であるセンス抵抗6と接続し、点線内のIGBT1を制御する集積回路5には、ゲート駆動回路9、電流検出器8、基準電圧回路7およびセンス抵抗6が内蔵されている。センス抵抗6と基準電圧回路7が同一半導体基板上に形成されるため、センス抵抗6で発生する電圧と基準電圧との差は温度依存性が極めて小さくなる。外付けセンス抵抗が不要となり、低コスト化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体素子を制御する集積回路において、該半導体素子に流れる電流を検出するための電流検出用抵抗が形成されることを特徴とする集積回路。

IPC (5)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , G01R 19/00 , G01R 31/28 , H01L 29/78

FI (5)：

H01L 27/04 F , G01R 19/00 A , G01R 31/28 V , H01L 29/78 655 Z , H01L 29/78 657 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-253948 Applicant：日本電装株式会社
特開昭63-213370
特開昭63-012175

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