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J-GLOBAL ID：200903044191184877

ヘテロ接合を有する半導体装置

Inventor： 渡邊 祐
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994208719
Publication number (International publication number)：1996078664
Application date： Sep. 01, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 エネルギ障壁の大きさから決まる電流電圧特性よりも電流密度が小さい特性を有する半導体装置を提供する。【構成】 支持基板と、前記支持基板上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の表面上に形成され、伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルが、前記第1の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルと異なる第2の半導体層とを有する。

Claim (excerpt)：

支持基板と、前記支持基板上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の表面上に形成され、伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルが、前記第1の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルと異なる第2の半導体層とを有する半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (3)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/80 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-184940
  
• 特開昭62-089365
  
• 特開平3-011767
  
• 特開平4-124840