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J-GLOBAL ID：200903044191318652
化学的自己組織化の方法を利用したカーボンナノチューブパターン形成方法およびカーボンナノチューブ層形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (6)：
八田 幹雄
, 野上 敦
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003364879
Publication number (International publication number)：2004142097
Application date： Oct. 24, 2003
Publication date： May. 20, 2004
Summary：
【課題】 所望の部位に選択的に化学的結合力を有するようにして、より容易にカーボンナノチューブパターンを形成する手段を提供し、また、表面接合力に優れたカーボンナノチューブ層を提供する。【解決手段】 表面処理された基材上にフォトリソグラフィ方法によりパターンを形成し、その上に化学的自己組織化の方法を利用してカーボンナノチューブを単層および多層に積層してカーボンナノチューブのパターンを形成させる方法である。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
下記の段階を含むカーボンナノチューブパターン形成方法:
(a)基材を表面処理して表面にアミノ基が露出した基材を提供する段階;
(b)前記基材を、カップリング剤の存在下で、リンカーとして下記化学式(1)のアミノアルキルカルボン酸を用いて処理し、前記基材上のアミノ基と前記アミノアルキルカルボン酸のカルボキシル基との間にアミド結合を形成させる段階;
IPC (2)：
FI (2)：
B82B3/00
, C01B31/02 101F
4G146AA11
, 4G146AB10
, 4G146BA04
, 4G146BA42
, 4G146CB16
, 4G146CB35
, 5G323CA04
, 5G323CA05
