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J-GLOBAL ID：200903044193026519
気相成長装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井内 龍二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991056671
Publication number (International publication number)：1993047669
Application date： Mar. 20, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【構成】 装置本体10内に基板13が載置される基板支持台12が回転可能に配設され、原料ガスの導入口19と排出口20とを結ぶ線が基板13載置面に対して略平行となるように導入口19と排出口20とが対向して配設され、さらに基板支持台12の中央部にその開口部12bの一端が位置する原料ガス導入部12aが、基板支持台12に形成されている気相成長装置。【効果】 基板支持台12の中央部から原料ガスを補給することにより、基板支持台12上流外周部で起こる原料ガスの急激な消費による流れ方向の成膜速度の激減を緩和することができ、それによって基板13上の薄膜成長速度を制御して、膜厚分布の均一性を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
装置本体内に基板が載置される基板支持台が回転可能に配設され、原料ガスの導入口と排出口とを結ぶ線が基板載置面に対して略平行となるように前記導入口と前記排出口とが対向して配設された気相成長装置において、前記基板支持台の中央部にその開口部の一端が位置する原料ガス導入部が、前記基板支持台に形成されていること特徴とする気相成長装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, C30B 29/06 504
