Pat

J-GLOBAL ID：200903044194506760

炭素又は炭素を主成分とする被膜の作製方法

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999371813
Publication number (International publication number)：2000144424
Application date： Sep. 07, 1981
Publication date： May. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】 絶縁表面上の珪素被膜上に炭素又は炭素を主成分とする被膜を形成する。【解決手段】 炭化水素化物と水素に周波数が2.45GHzのマイクロ波の電磁エネルギーを加えて、炭素同士の共有結合を有せしめ、水素が30モル%以下の炭素又は炭素を主成分とする被膜を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

炭化水素化物と水素に周波数が2.45GHzのマイクロ波の電磁エネルギーを加えて、炭素同士の共有結合を有せしめ、水素が30モル%以下の炭素又は炭素を主成分とする被膜を形成することを特徴とする炭素又は炭素を主成分とする被膜の作製方法。

IPC (3)：

C23C 16/26 ,  B41J 2/335 ,  C23C 16/511

FI (4)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/511 ,  B41J 3/20 111 F ,  B41J 3/20 111 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭55-078524
  
• 特開昭55-161545