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J-GLOBAL ID：200903044203187010

半導体装置用の整流コンタクト及びその形成方法

Inventor： バスデフ・ベンカテサン ,  デイル・ジイ・トンプソン ,  カルヤンクマール・ダス
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993097865
Publication number (International publication number)：1994053527
Application date： Apr. 23, 1993
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高温下で安定した整流コンタクトを示す半導体装置用のアモルファスシリコン及びその製造方法を提供する。【構成】 高温下で使用できる整流コンタクト5は半導体ダイヤモンド層6と、半導体ダイヤモンド層上に形成したドーピングしたアモルファスシリコン層7とで構成される。アモルファスシリコン層7はp型又はn型のいずれのドーパントによってドープしてもよい。半導体ダイヤモンド層6はドーピングした多結晶ダイヤモンド層でも、又は天然のIIb単細ダイヤモンドであってもよい。アモルファスシリコン層7はドーピングしたシリコンターゲットからスパッタリング法によって形成することができる。このようにして形成した整流コンタクト5を、更に加熱処理することにより、アモルファスシリコン層内の別のドーパント原子を活性化し、コンタクトの順方向抵抗を低減させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体装置用の整流コンタクトにおいて、半導体ダイヤモンド層と、この半導体ダイヤモンド層上に形成されて前記半導体ダイヤモンド層と整流コンタクトを形成するドープされたアモルファスシリコン層とを有することを特徴とする半導体装置用の整流コンタクト。

IPC (3)：

H01L 29/91 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301