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J-GLOBAL ID：200903044203581389

磁気メモリ、磁気メモリの製造方法

Inventor： 今江 一義 ,  南方 量二 ,  道嶋 正司 ,  林 秀和
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000182154
Publication number (International publication number)：2001338487
Application date： Jun. 16, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 反磁界の影響を低減することができると共に、磁性層端部に磁極が発生しても、磁性層に記録された磁化状態が従来よりも安定に存在する磁気メモリおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 面内の一方向に磁化配向する強磁性層を有し、該強磁性層の磁化の向きを情報として用いるMTJ素子10を略格子状に配し、MTJ素子10におけるメモリ層1となる強磁性層の磁化容易軸の軸方向が、隣合うMTJ素子10のメモリ層1となる強磁性層の磁化容易軸の軸方向に対して90度異なるように設定する。

Claim (excerpt)：

面内の一方向に磁化配向する磁性層を有し、該磁性層の磁化の向きを情報として用いる磁気メモリ素子が略格子状に配されてなる磁気メモリにおいて、隣合う磁気メモリ素子の磁化容易軸の軸方向が互いに異なることを特徴とする磁気メモリ。

IPC (3)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z