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J-GLOBAL ID：200903044210126905

ヘテロ接合半導体装置

Inventor： 龍治 彰 ,  井上 薫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992197350
Publication number (International publication number)：1994045368
Application date： Jul. 24, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 InGaAsチャネル層とn-InGaPキャリア供給層との間にスペーサ層を介在させた構造を有する高電子移動度トランジスタ(HEMT)において、ヘテロ接合界面に発生する2次元電子ガスの移動度を高める。【構成】 スペーサ層とチャネル層との界面が急峻かつ清浄となるように、ノンドープIn0.2 Ga0.8 Asチャネル層3上にノンドープAl0.2 Ga0.8 Asスペーサ層4を介して、ノンドープInx Ga1-x Pスペーサ層5とn-InxGa1-x Pキャリア供給層6とを形成する(x=0.49または0.45)。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に形成されたノンドープのInGaAsからなるチャネル層と、前記チャネル層に接するように形成されたノンドープのAlGaAsからなる最下層を少なくとも有するスペーサ層と、前記スペーサ層上に形成されたn型のInGaPからなるキャリア供給層とを備えたことを特徴とするヘテロ接合半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812