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J-GLOBAL ID：200903044214157244

半導体デバイスの製造方法

Inventor： 横川 貴史 ,  境 正憲 ,  佐々木 伸也 ,  山崎 裕久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005101357
Publication number (International publication number)：2006286716
Application date： Mar. 31, 2005
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：

【課題】リングボートを使用しても充分な膜厚の面内均一性が得られない問題を解決し、膜厚の面内均一性を更に向上することのできる半導体デバイスの製造方法を提供することにある。【解決手段】 少なくとも第1の処理ガスと第2の処理ガスとを交互に処理室内に供給し、基板表面に所望の膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、処理室内に前記第1の処理ガスを供給する工程と、前記処理室内に残留する前記第1の処理ガスを前記処理室から除去する工程と、処理室内に前記第2の処理ガスを供給する工程と、前記処理室内に残留する前記第2の処理ガスを前記処理室から除去する工程と、を含み、少なくとも前記第1の処理ガス供給工程と第2の処理ガス供給工程のいずれかの工程において、処理ガスと共にキャリアガスが同時に供給され、前記キャリアガスの供給量を変化させて供給する半導体デバイスの製造方法。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

少なくとも第1の処理ガスと第2の処理ガスとを交互に処理室内に供給し、基板表面に 所望の膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、 処理室内に前記第1の処理ガスを供給する工程と、 前記処理室内に残留する前記第1の処理ガスを前記処理室から除去する工程と、 前記処理室内に前記第2の処理ガスを供給する工程と、 前記処理室内に残留する前記第2の処理ガスを前記処理室から除去する工程と、 を含み、 少なくとも前記第1の処理ガス供給工程と第2の処理ガス供給工程のいずれかの工程に おいて、処理ガスと共にキャリアガスが同時に供給され、前記キャリアガスの供給量を変 化させて供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (1)：

H01L 21/316

FI (1)：

H01L21/316 X

F-Term (6)：

5F058BA06 ,  5F058BC03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01