コア/シェル構造を有するナノ結晶からなる発光材料、および同材料調製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003582247
Publication number (International publication number)：2005522534
Application date： Apr. 08, 2003
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：

本発明は、シェル内に包み込まれたコアを備えたナノ結晶からなる発光材料であって、前記コアは、式ABを有する半導体のナノ結晶であって、Aが酸化された金属またはメタロイド(II)を表し、Bが酸化された化学元素(VI)を表すナノ結晶からなり、前記シェルは、ZnSe層であって、その表面に、少なくとも1種のホスフィンオキシドおよび/またはホスフィンセレニド化合物と結合した少なくとも1種の第一級アミンからなる有機パッシベーション層を備えているZnSe層からなる発光材料に関する。詳細には、本発明はZnSeシェルで被覆されたCdSeコアを有するナノ結晶に関する。さらに本発明は、前記材料を調製する方法に関する。

Claim (excerpt)：

シェルで囲まれたコアを有するナノ結晶からなる発光材料であって、前記コアは、式ABを有する半導体のナノ結晶であって、Aが酸化状態(II)の金属またはメタロイドを表し、Bが酸化状態(VI)の化学元素を表すナノ結晶からなり、前記シェルは、ZnSe層であって、その表面が、少なくとも1種のホスフィンオキシドおよび/またはホスフィンセレニド化合物と結合した少なくとも1種の第一級アミンからなる有機パッシベーション層を備えているZnSe層からなる発光材料。

IPC (2)：

C09K11/88 , C09K11/08

FI (2)：

C09K11/88 , C09K11/08 G

F-Term (9)：

4H001CA02 , 4H001CC09 , 4H001CC13 , 4H001XA16 , 4H001XA30 , 4H001XA34 , 4H001XA48 , 4H001XA52 , 4H001XA80

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許6207229号
国際公開99/26299号

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

NANO LETTERS, 2001, V1N4, P207-211
Synthesis of Luminescent Thin-Film CdSe/ZnSe Quantum Dot Composites Using CdSe Quantum Dots Passivat
Alternative Routes toward High Quality CdSe Nanocrystals

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