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J-GLOBAL ID：200903044219322405

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 山 川 晃 司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000388758
Publication number (International publication number)：2002190578
Application date： Dec. 21, 2000
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高密度大容量化に適したキャパシタ構造を得ることを可能にする。【解決手段】 半導体基板上に形成された第1の電極4と、この第1の電極上に形成された第1の強誘電体層6と、この第1の強誘電体層上に形成された第2の電極8と、この第2の電極上に形成された第2の強誘電体層10と、この第2の強誘電体層上に形成された第3の電極12とを有する強誘電体キャパシタ1を備えたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された第1の電極と、この第1の電極上に形成された第1の強誘電体層と、この第1の強誘電体層上に形成された第2の電極と、この第2の電極上に形成された第2の強誘電体層と、この第2の強誘電体層上に形成された第3の電極とを有する強誘電体キャパシタを備えたことを特徴とする半導体装置。

F-Term (15)：

5F083FR02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40