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J-GLOBAL ID：200903044230422055

プラズマ処理装置

Inventor： 小川 芳文
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992311624
Publication number (International publication number)：1994163462
Application date： Nov. 20, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】プラズマ処理装置において、均一なμ波プラズマを形成し高周波バイアスを被処理物である基板上で均一にすることにより、生産性の向上を図る。【構成】被加工物である基板7に対向して、基板の加工面より大きな面積を真空中へ露呈して成る対向電極4を設け、μ波を対向電極4の下部外周に設けた石英リング5を介して真空中に導く。基板7及び対向電極7はそれぞれアース電位や高周波電源による高周波を印加することにより、最適なプロセス条件を得る。【効果】本発明によれば、均一なプラズマが得られるとともにバイアス電位が基板7の中で整い、ひいは歩留りが向上し生産性が上がる。

Claim (excerpt)：

マイクロ波を用いてプラズマを生成するマイクロ波プラズマ処理装置において、被処理物である基板より大きな表面積を有する対向電極を、前記基板と対向して設け、前記対向電極をアース電位とし、前記対向電極の下面に配した絶縁物を介してマイクロ波を全周方向から導入することを特徴としたプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-155728
  
• 特開平2-005413
  
• 特開平4-211118
  
• 特開平1-100923
  
• 特開平2-177429