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J-GLOBAL ID：200903044234633212

半導体デバイス

Inventor： 服部 敦夫 ,  日比野 三十四
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994247776
Publication number (International publication number)：1996115863
Application date： Oct. 13, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、フォトリソグラフィによる該電極層のパターン形成時に、該電極層上に該電極表面で反射する光を減少させる機能を持つ反射防止膜を有する構成を持つ半導体デバイスに関する。デバイス作成工程中に発生する該反射防止膜の剥離を低減し、反射防止膜のエッチングを必要としない半導体デバイスを提供することを目的とする。【構成】 電極層と反射防止膜層の間に一方の層がもう一方の層に与える応力を緩和する機能を持つ応力緩和層を挿入する。

Claim (excerpt)：

凹凸のある表面を有する半導体基板と、前記半導体基板上に配置され、高融点金属とSiの化合物よりなる導電体で形成された第1の層と、前記第1の層上に形成された第2の層と、前記第2の層上に形成され、上方より前記第1の層に入射し、反射する光の強度を減少させる機能を有する反射防止膜である第3の層と、を有し、前記第2の層が前記第1の層および前記第3の層とは異なる組成からなり、前記第1の層と前記第3の層の間に発生する応力を緩和する機能を持つ半導体デバイス。