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J-GLOBAL ID：200903044244854853

半導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法

Inventor： 山田 直人
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991227947
Publication number (International publication number)：1993067654
Application date： Sep. 09, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体試験装置に関し、信号授受に係わり半導体チップの全パッド電極と試験用プローブ電極との接触のみに依存することなく、該プローブ電極を接触させることが困難なパッド電極については、該パッド電極の信号変化を他の信号伝搬媒体により取得し、LSI装置が高集積化,超微細化した場合であっても、電気的良好な状態で試験をすることを目的とする。【構成】 被測定対象16に電子ビーム11aを照射する電子発生源11と、前記電子ビーム11aを偏向する偏向駆動手段12と、前記被測定対象16から帰還する二次電子や反射電子11bを検出する検出手段13と、前記被測定対象16の被試験電極TAに試験用プローブ電極14Aを接触させる電極接触手段14と、前記電子発生源11,偏向駆動手段12,検出手段13及び電極接触手段14の入出力を制御する制御手段15とを具備することを含み構成する。

Claim (excerpt)：

被測定対象(16)に電子ビーム(11a)を照射する電子発生源(11)と、前記電子ビーム(11a)を偏向する偏向駆動手段(12)と、前記被測定対象(16)から帰還する二次電子や反射電子(11b)を検出する検出手段(13)と、前記被測定対象(16)の被試験電極(TA)に試験用プローブ電極(14A)を接触させる電極接触手段(14)と、前記電子発生源(11),偏向駆動手段(12),検出手段(13)及び電極接触手段(14)の入出力を制御する制御手段(15)とを具備することを特徴とする半導体試験装置。