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J-GLOBAL ID:200903044253579571

炭化珪素成形体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高畑 正也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994187773
Publication number (International publication number):1996026714
Application date: Jul. 18, 1994
Publication date: Jan. 30, 1996
Summary:
【要約】【目的】 100〜5000μm の肉厚範囲で、材質組織に亀裂のない高品質の炭化珪素成形体を製品収率よく製造する方法を提供する。【構成】 炭素質基材の表面にハロゲン化有機珪素化合物を高温で還元熱分解するCVD法によりSiC膜層を形成したのち、炭素質基材を除去して炭化珪素成形体を得る方法において、炭素質基材として熱膨張係数(CTE) 2.0〜3.0 ×10-6/°Cで平滑表面を備える炭素質材料を選択使用する。この炭素質材料としては、表面を鏡面研磨したガラス状カーボン材または膨張黒鉛シートが用いられる。
Claim (excerpt):
炭素質基材の表面にハロゲン化有機珪素化合物を高温で還元熱分解するCVD法によりSiC膜層を形成したのち、炭素質基材を除去して炭化珪素成形体を得る方法において、炭素質基材として熱膨張係数(CTE) が2.0〜3.0×10-6/°Cで平滑表面を備える炭素質材料を選択使用することを特徴とする炭化珪素成形体の製造方法。
IPC (3):
C01B 31/36 ,  B28B 1/30 ,  C04B 41/87

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