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J-GLOBAL ID：200903044255191643

キャパシタの製造方法

Inventor： 牛膓 哲雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997017065
Publication number (International publication number)：1998214948
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 段差を高くしなくても充分な容量を確保することができ、かつキャパシタを形成する半導体装置の小型化を図ることができるキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】 多孔質絶縁膜22によるコア22aを形成し、コア22aの表面に一方の電極9を形成し、コア22aを除去した後、一方の電極9の表面に誘電体膜10を介して対向電極11を形成してキャパシタ12を製造する。

Claim (excerpt)：

多孔質絶縁膜によるコアを形成し、上記コアの表面に一方の電極を形成し、上記コアを除去した後、上記一方の電極の表面に誘電体膜を介して対向電極を形成することを特徴とするキャパシタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 681 F