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J-GLOBAL ID：200903044262956876
1B-3B-6B族化合物薄膜の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994011248
Publication number (International publication number)：1995215704
Application date： Feb. 02, 1994
Publication date： Aug. 15, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高い配向性を有し、良質で大型の単結晶を低コストで製造することができる1B-3B-6B族化合物薄膜の製造方法を提供する。【構成】 カルコゲナイド2元化合物であるCu2Se化合物粉末と、In2Se3化合物粉末との混合粉末を圧粉成形する工程と、この成形体を約900°Cの温度で焼成してCuInSe2化合物を得る工程と、この焼成体を粉砕したものをペースト状にしてガラス基板上にスクリーン印刷し、その後、約400°Cで焼結する工程とを有する。
Claim (excerpt)：
カルコゲナイド二元化合物である1B-6B族化合物粉末と、3B-6B族化合物粉末との混合粉末を圧粉成形する工程と、この成形体を焼成して1-3-62族化合物を得る工程と、この焼成体を粉砕したものをペースト状にして基板上に塗布し、その後、焼結する工程とを有することを特徴とする1B-3B-6B族化合物薄膜の製造方法。
IPC (3)：
C01B 19/04
, C23C 24/08
, H01L 31/04
