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J-GLOBAL ID：200903044265690915

半導体装置

Inventor： 山根 茂美 ,  渥美 幸一郎 ,  安藤 鉄男 ,  八木 典章
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994179653
Publication number (International publication number)：1995070675
Application date： Aug. 21, 1984
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：

【要約】【構成】 本発明の半導体装置は、電気的結線に、Be,Sn,Zn,Zr,Ag,CrおよびFe(第1添加元素群)から選択された2種以上の元素を0.1重量%〜2重量%含有し、かつMg,Ca,希土類元素,Ti,Hf,V,Nb,Ta,Ni,Pd,Pt,Au,Cd,B,In,Si,Ge,Pb,P,Sb,Bi,SeおよびTe(第2添加元素群)から選択された1種または2種以上の元素を0.001〜2重量%含有し、残部が実質的に銅であるボンディングワイヤーを用いたことを特徴とする。【効果】 ボール接合強度が良好でかつ導電性が良好な銅系ボンディングワイヤーを用い、高い信頼性を有する半導体装置を提供することができる。

Claim (excerpt)：

電気的結線に、Be,Sn,Zn,Zr,Ag,CrおよびFe(第1添加元素群)から選択された2種以上の元素を0.1重量%〜2重量%含有し、かつMg,Ca,希土類元素,Ti,Hf,V,Nb,Ta,Ni,Pd,Pt,Au,Cd,B,In,Si,Ge,Pb,P,Sb,Bi,SeおよびTe(第2添加元素群)から選択された1種または2種以上の元素を0.001〜2重量%含有し、残部が実質的に銅であるボンディングワイヤーを用いたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

C22C 9/00 ,  H01B 1/02 ,  H01L 21/60 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭57-149744
  
• 特開昭59-139662