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J-GLOBAL ID：200903044268008783

半導体装置の製造方法

Inventor： 山口 偉久 ,  小森 重樹
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992207344
Publication number (International publication number)：1994029235
Application date： Jul. 09, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリコン半導体基板上に高融点金属シリサイドを形成する方法において、シリサイド化反応を均一に進行させ、均一な膜厚を持つシリサイド薄膜を得る。【構成】 シリサイド形成前の高融点金属の堆積前に被堆積面に形成される自然酸化膜の除去を、従来のH2 Oを用いる希フッ酸による処理に代えて、無水HF/CH3 OHによる処理により行い、その後高融点金属を堆積させ、ランプアニール法によりシリサイドを形成する。【効果】 均一なシリサイド膜を得ることができ、シリサイド膜厚の不均一性による接合破壊等を防止することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面上に高融点金属と半導体基板の材料であるシリコンとの化合物を形成する半導体装置の製造方法において、高融点金属をシリコン半導体基板表面上に堆積させる前に、無水フッ酸とメチルアルコール又はエチルアルコールの混合液を用いて上記半導体基板表面を洗浄する工程と、その後、上記半導体基板表面に高融点金属を堆積させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301