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J-GLOBAL ID：200903044274387044

CTセンサーの形成方法及びそのCTセンサー

Inventor： 中村 茂 ,  田村 久明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992305228
Publication number (International publication number)：1994160538
Application date： Nov. 16, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 スペーサの厚みを一定にし、隣接するダイオードへの光の入射を阻止し、シンチレータに対応するフォトダイオードにシンチレータからの光を正しく入射させ得るシンチレータ素子体を有するCT用固体センサーの提供。【構成】 基盤21上に形成されたフォトダイオード層22とシンチレータブロック25からなるシンチレータ層を接合し(図2(a))、シンチレータ層の上面からフォトダイオード層22の上面に至る間をダイヤモンドカッター29により切断方向に平行に切断してフォトダイオード層22の上面に至る複数の溝27を形成し(図2(b))、微細状の光反射材を混入した光硬化樹脂を主成分とする流動性充填物を溝に充填し、シンチレータ層に光線を照射し、充填物の光硬化樹脂を硬化させて溝を反射層28とする(図2(c))。

Claim (excerpt)：

基盤上に形成されたフォトダイオード層とシンチレータ層を接合し、前記シンチレータ層の上面から前記フォトダイオード層の上面に至る間を溝切り装置により切断方向に平行且つ等間隔に切断して前記フォトダイオード層の上面に至る複数の溝を形成し、微細状の光反射材を混入した光硬化樹脂を主成分とする流動性充填物を前記溝に充填し、光線を照射して前記充填物の光硬化樹脂を硬化させて前記溝を反射層とすることを特徴とするCTセンサーを形成する方法。

IPC (3)：

G01T 1/20 ,  A61B 6/03 320 ,  H01L 31/09