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J-GLOBAL ID：200903044280715142

磁気抵抗効果素子

Inventor： 梅津 英治 ,  長谷川 直也 ,  牧野 彰宏
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997092565
Publication number (International publication number)：1998284768
Application date： Apr. 10, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、補助磁化反転層を設けることでフリー強磁性層の保磁力を低くして磁化反転を容易にすることができ、外部磁場に敏感に反応して磁気抵抗効果を示すとともに、補助磁化反転層を高比抵抗な材料から構成することで補助磁化反転層に分流しようとする電流を抑えて磁気抵抗効果の減少を防止できる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、磁化反転がピン止めされた少なくとも一層のピン止め強磁性層12と、磁化が外部の磁界に対して自在に反転する少なくとも一層のフリー強磁性層14と、フリー強磁性層14に隣接もしくは近傍に位置してフリー強磁性層14の磁化反転を補助し、軟磁気特性を有する補助磁化反転層15とを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

磁化反転がピン止めされた少なくとも一層のピン止め強磁性層と、磁化が外部の磁界に対して自在に反転する少なくとも一層のフリー強磁性層と、フリー強磁性層に隣接もしくは近傍に位置してフリー強磁性層の磁化反転を補助し、軟磁気特性を有する補助磁化反転層とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08