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J-GLOBAL ID：200903044282345750

チタン酸バリウム及びチタン酸バリウム固溶体の単結晶の成長方法

Inventor： リー, ホ-ヨン ,  キム, ジャエ-サク ,  リー, ジョン-ボン ,  フー, タエ-モー ,  キム, ドエ-ヨン ,  ホワン, ノン-モン ,  リー, ビョウン-キ ,  チュン, サン-ヨーン ,  カン, サク-ジョーン エル.
Applicant, Patent owner： セラコンプ カンパニー, リミテッド
Agent (1)： 角田 嘉宏 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001511247
Publication number (International publication number)：2003505316
Application date： Jun. 21, 2000
Publication date： Feb. 12, 2003
Summary：

【要約】本発明によるチタン酸バリウム(BaTiO3)及びチタン酸バリウム固溶体[(BaxM1-x)(TiyN1-y)O3]の単結晶の成長方法は、二次異常粒成長が起こる臨海温度より低い温度で少数の二次異常粒を成長させ続ける工程を含むことを特徴とする、液相形成温度より高い温度で一次および二次の異常粒成長を示すチタン酸バリウムおよびチタン酸バリウム固溶体の単結晶の成長方法に関する。また、本発明のチタン酸バリウムおよびチタン酸バリウム固溶体の単結晶の成長方法は、特別な設備を利用せず、一般的な熱処理プロセスで単結晶を低コストで効率的に製造できるという長所がある。本発明のチタン酸バリウムおよびチタン酸バリウム固溶体の単結晶の成長方法は、異常粒成長を示す他のシステムにも応用できる。

Claim (excerpt)：

特定温度より高い温度または多結晶体の組成及び熱処理雰囲気により一次と二次の異常粒成長が起こるチタン酸バリウム(BaTiO3)及びチタン酸バリウム固溶体[(BaxM1-x)(TiyN1-y)O3]の単結晶の成長方法において、 多結晶体の二次異常粒成長の開始温度より低い温度で熱処理し、少数の二次異常粒子のみを成長させ続ける段階(a)を含むことを特徴とするチタン酸バリウム及びチタン酸バリウム固溶体の単結晶の成長方法。

IPC (2)：

C30B 29/32 ,  C01G 23/00

FI (2)：

C30B 29/32 C ,  C01G 23/00 C

F-Term (12)：

4G047CA07 ,  4G047CB04 ,  4G047CC02 ,  4G047CD07 ,  4G077AA02 ,  4G077BC42 ,  4G077CA03 ,  4G077EA02 ,  4G077EA07 ,  4G077HA11 ,  4G077JA08 ,  4G077JB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• チタン酸バリウム単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-076006   Applicant：住友化学工業株式会社
• 特公昭44-020308
  
• 特公昭44-008557
  
• チタン酸バリウム光学単結晶ファイバの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-216028   Applicant：株式会社フジクラ, 日本電信電話株式会社