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J-GLOBAL ID：200903044288693644

固体撮像デバイスの製造方法

Inventor： キョン・ク・クオン
Applicant, Patent owner： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999192705
Publication number (International publication number)：2000040815
Application date： Jul. 07, 1999
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 固体撮像デバイスの最終端の電荷転送効率を向上させる。【解決手段】 浮遊拡散領域及びそのほかの領域の一部領域でBCCDの濃度を高くして電位の変化を大きくした。第2導電型のウェルとBCCDが形成された第1導電型の基板の浮遊拡散領域形成にはその全体の箇所及びそれ以外の電荷転送に寄与する箇所の一部の領域のBCCDの濃度を高くし、その後、基板の上に転送ゲート、出力ゲート、リセットゲートを、及びBCCDの表面部に浮遊拡散領域、リセットドレイン領域をそれぞれ形成する。ウェルとBCCD領域の形成と濃度を高くする工程との順番を逆にしてもよい。

Claim (excerpt)：

第2導電型のウェル及びBCCDの形成された第1導電型の基板の浮遊拡散領域形成箇所及びそれ以外の電荷転送に寄与する箇所の一部の領域のBCCDの濃度を高くする段階と、基板の上に転送ゲート、出力ゲート、リセットゲートを形成し、かつBCCDの表面部に浮遊拡散領域、リセットドレイン領域を形成する段階とを備えることを特徴とする固体撮像デバイスの製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (2)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-273449
  
• 電荷結合素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-318539   Applicant：三菱電機株式会社