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J-GLOBAL ID:200903044305608044
錫-銅金属間化合物分散錫めっき端子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
香本 薫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001275793
Publication number (International publication number):2003082499
Application date: Sep. 11, 2001
Publication date: Mar. 19, 2003
Summary:
【要約】【課題】 挿入力が低く、耐食性に優れ、経時後の接触抵抗が低く、加工性のよい嵌合型端子を提供する。【解決手段】 銅又は銅合金からなる母材の表面に、錫-銅金属間化合物が分散した錫めっき層を有する端子。錫-銅金属間化合物が分散した錫めっき層の下地として、ニッケル合金めっき層(図2(b))、錫めっき層(図2(c))、錫めっき層及びニッケル合金めっき層(図2(d))等を形成してもよい。錫-銅金属間化合物が分散した錫めっき層及び下地の錫又は錫合金めっき層は合計で0.5μm以上の厚さを有するのが望ましい。
Claim (excerpt):
銅又は銅合金からなる母材の表面に錫-銅金属間化合物が分散した錫めっき層が形成されていることを特徴とする錫-銅金属間化合物分散錫めっき端子。
IPC (5):
C25D 15/02
, C25D 5/12
, C25D 5/50
, C25D 7/00
, H01R 13/03
FI (5):
C25D 15/02 E
, C25D 5/12
, C25D 5/50
, C25D 7/00 H
, H01R 13/03 D
F-Term (12):
4K024AA21
, 4K024AB02
, 4K024AB03
, 4K024AB12
, 4K024BA09
, 4K024BB10
, 4K024BC10
, 4K024CB21
, 4K024DB01
, 4K024GA04
, 4K024GA07
, 4K024GA16
Patent cited by the Patent: