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J-GLOBAL ID：200903044309733900

金属電極用のルテニウム膜の化学気相堆積

Inventor： クリストファー ピー. ウェイド ,  イレーヌ パオ ,  ヤシン ワン ,  ジュン ツァオ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001236841
Publication number (International publication number)：2002161367
Application date： Aug. 03, 2001
Publication date： Jun. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】 液体供給源の化学気相堆積によりルテニウム膜を基板に堆積する方法を提供する。【解決手段】 液体供給源の化学気相堆積によりルテニウム膜を基板に堆積する方法では、供給源材料が室温で液体であり、ルテニウム膜の堆積が動力学的に限定された温度領域の温度で行われるように処理条件を利用する。更に、液体供給源の化学気相堆積によりルテニウム薄膜を基板に堆積する方法では、ビス-(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを液体供給源として用い、CVDの供給源材料ガスを形成するためにビス-(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを約100°C〜約300°Cの蒸発温度で蒸発させるステップと、酸素源反応ガスを提供するステップ、反応チャンバでCVDの供給源材料ガス及び酸素源反応ガスを用いて約100°C〜約500°Cの基板の温度でルテニウム薄膜を基板に形成するステップとを含む。

Claim (excerpt)：

液体供給源の化学気相堆積によりルテニウム膜を基板に堆積する方法であって、前記ルテニウム膜が動力学的に限定された温度領域の温度で堆積される処理条件を選択するステップと、ルテニウム薄膜を上記基板に堆積するステップとを含む方法。

IPC (3)：

C23C 16/18 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (3)：

C23C 16/18 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z

F-Term (14)：

4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104DD45 ,  4M104FF13 ,  4M104GG16

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Ruthenium Films Prepared by Liquid Source Chemical Vapor Deposition Using Bis-(ethylcyclopentadienyl