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J-GLOBAL ID：200903044335097214

プラスチックスの表面改質方法およびこの表面改質方法を用いて改質されたプラスチックス

Inventor： 外崎 峰広
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998278666
Publication number (International publication number)：2000103884
Application date： Sep. 30, 1998
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 プラスチックスにイオンを照射して、DLCを形成するための表面改質方法およびこの表面改質方法を用いて改質されたプラスチックスを提供する。【解決手段】 質量分離型のイオン照射装置1aは、アルゴンイオンによるスパッタ式のイオン源2、引き出し電極3、質量分離用電磁石4、加速管5、走査電極6、基板7から構成される。ここで、照射するイオンの種類は、炭素、アルゴン、窒素およびシリコンなどを用いる。基板7には、プラスチックスとして、例えばアモルファスポリオレフィンを用いる。高純度で、高真空を達成するために、このイオン照射装置1aにより20keVの炭素正イオンを基板表面に1平方cm当たりのイオン量が1017または5×1017のイオン照射を行う。この場合の背景真空度は、1.33×10-8Paである。

Claim (excerpt)：

イオン源を用いて、プラスチックスにイオンを照射する工程を有し、前記プラスチックスの表面に、SP2 結合に比べてSP3 結合を多く含むDLC(Diamond Like Carbon)を形成することを特徴とするプラスチックスの表面改質方法。

IPC (4)：

C08J 7/00 302 ,  C08J 7/00 CEY ,  C08J 7/00 CFD ,  H01J 37/317

FI (4)：

C08J 7/00 302 ,  C08J 7/00 CEY ,  C08J 7/00 CFD ,  H01J 37/317 Z

F-Term (7)：

4F073AA07 ,  4F073BA18 ,  4F073BA24 ,  4F073BA26 ,  4F073CA51 ,  5C034CC01 ,  5C034CC19