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J-GLOBAL ID：200903044335781131
光電子材料の製造方法、並びにその光電子材料を用いた応用素子及び応用装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996157840
Publication number (International publication number)：1997275075
Application date： Jun. 19, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、無尽埋蔵量かつ環境汚染フリーな材料からなり、さらに自発光、高速応答、低消費電力、細密画素、高耐環境性、アセンブリーレス性に優れた光電子材料の製造方法を提供し、併せてその光電子材料を用いた発光素子等を提供することを目的とする。【解決手段】 ターゲット材28を低圧希ガス雰囲気の真空反応室21の内部に配置する配置工程と、真空反応室21の内部に基板を配置する配置工程と、配置されたターゲット材にレーザー光を照射してターゲット材の脱離・射出を生じるアブレーション工程と、脱離・出射された物質を空中会合させる空中会合工程と、空中会合工程で得られた超微粒子を基板上に補集して前記超微粒子を含む光電子材料を得る工程とを有する光電子材料の製造方法である。
Claim (excerpt)：
第1のターゲット材を低圧希ガス雰囲気の真空反応室の内部に配置する第1のターゲット材配置工程と、前記真空反応室の内部に基板を配置する基板配置工程と、前記第1のターゲット材配置工程で配置された第1のターゲット材にレーザー光を照射して前記第1のターゲット材の脱離・射出を生じるアブレーション工程と、前記アブレーション工程で得られた脱離・射出された物質を空中会合させる空中会合工程と、前記空中会合工程で得られた超微粒子を基板上に補集して前記超微粒子を含む光電子材料を得る工程とを有する光電子材料の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/203
, G09F 9/30 360
, H01L 21/363
, H05B 33/10
H01L 21/203 S
, G09F 9/30 360
, H01L 21/363
, H05B 33/10
