化学増幅ポジ型レジスト、およびそれを用いたパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金田暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999128838
Publication number (International publication number)：2000321772
Application date： May. 10, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 220nm以下の光を用いたリソグラフィー用の化学増幅ポジ型レジストにおいて露光光に対して透明性に優れ、かつエッチング耐性、基板密着性に優れた化学増幅ポジ型レジストが切望されている。【解決手段】一般式(1)で示される単位を有する重合体と露光により酸を発生する光酸発生剤を少なくとも含有する化学増幅ポジ型レジストの提供により上記の課題が解決される。【化1】(上式において、R1は水素原子またはメチル基、Gは1,2-ジオール構造を有する脂環族炭化水素基を表す。)

Claim (excerpt)：

一般式(1)で示される単位を有する重合体、および露光により酸を発生する光酸発生剤を少なくとも含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト。【化1】(上式において、R1は水素原子またはメチル基、Gは1,2-ジオール構造を有する脂環族炭化水素基を表わす。)

IPC (6)：

G03F 7/039 601 , C08F 20/28 , C08F220/28 , C08K 5/00 , C08L 33/14 , H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/039 601 , C08F 20/28 , C08F220/28 , C08K 5/00 , C08L 33/14 , H01L 21/30 502 R

F-Term (49)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025FA12 , 4J002BG071 , 4J002EQ016 , 4J002ES006 , 4J002EV246 , 4J002EV296 , 4J002EW176 , 4J002FD206 , 4J002GP03 , 4J100AJ02R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA04Q , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA11Q , 4J100BA11R , 4J100BA15Q , 4J100BC04Q , 4J100BC04R , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC08R , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC12P , 4J100BC12Q , 4J100BC12R , 4J100BC53Q , 4J100BC53R , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

感光性高分子化合物及びこれを含むフォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-208947 Applicant：三星電子株式会社
ビニル基を含有する単量体及びその重合体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-280695 Applicant：日本電気株式会社
化学増幅型レジストとレジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-235253 Applicant：富士通株式会社

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