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J-GLOBAL ID：200903044356921260

誘電体素子の製造方法

Inventor： 藤井 覚 ,  高山 良一 ,  鎌田 健 ,  友澤 淳
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996060515
Publication number (International publication number)：1997251978
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 誘電体のケミカルエッチングにおいて、従来のエッチャントでは、基板や電極上に残渣が発生する課題や、パターン再現性に課題を有していた。【解決手段】 誘電体のパターニングを、、フッ化水素酸と酸化剤より構成されるエッチャントによりエッチングした後、還元剤より構成される前処理液、続いて酸より構成される後処理液によりエッチング残渣を除去することを備えており、基板上に金属電極膜を形成する工程、前記金属電極膜上に誘電体膜を形成する工程、前記誘電体膜を前記記載のケミカルエッチング法によりパターニングする工程、前記金属電極膜をエッチングしパターニングした金属電極膜形成する工程を備えている。

Claim (excerpt)：

誘電体のパターニングを、フッ化水素酸と酸化剤より構成されるエッチャントによりエッチングした後、還元剤より構成される前処理液、続いて酸より構成される後処理液によりエッチング残渣を除去することを特徴とする誘電体素子の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/306 ,  C23F 1/00 104 ,  C23F 1/16 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 21/306 D ,  C23F 1/00 104 ,  C23F 1/16 ,  H01L 21/28 F ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371