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J-GLOBAL ID：200903044357461998

低温で導電性ポリチオフェン層を形成するための方法

Inventor： トム・クローツ ,  ヨハン・ロキユフイエ ,  フランク・ルーウエト ,  ヒエロニムス・アンドリーセン
Applicant, Patent owner： アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ
Agent (1)： 小田島 平吉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999322544
Publication number (International publication number)：2000153229
Application date： Nov. 12, 1999
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高温における追加のアニーリング段階なしで導電性ポリマーの層を形成するための方法、そのための水性組成物及び導電性ポリマー層を有するフィルムを提供すること。【解決手段】 -ポリチオフェン、ポリアニオン化合物及びε≧15の誘電率を有する非プロトン性化合物を含有する水性組成物を準備し;-該組成物を物体上に適用して層を形成し;-該層を乾燥して該物体上に導電性ポリマー層を形成する段階を含んでなり、該形成の間、該物体及び該層を100°C未満の温度に保ち、該導電性ポリマー層が最高で2kΩ/平方の抵抗率を有することを特徴とする物体上にポリマー性導電層を形成するための方法。

Claim (excerpt)：

-ポリチオフェン、ポリアニオン化合物及びε≧15の誘電率を有する非プロトン性化合物を含有する水性組成物を準備し;-該組成物を物体上に適用して層を形成し;-該層を乾燥して該物体上に導電性ポリマー層を形成する段階を含んでなり、該物体及び該層を100°C未満の温度に保ち、該導電性ポリマー層が最高で2kΩ/平方の抵抗率を有することを特徴とする物体上にポリマー性導電層を形成するための方法。

IPC (7)：

B05D 7/24 302 ,  B05C 9/14 ,  B05D 5/12 ,  B32B 7/02 104 ,  C09D 5/00 ,  C09D 5/24 ,  C09D165/00

FI (7)：

B05D 7/24 302 Y ,  B05C 9/14 ,  B05D 5/12 B ,  B32B 7/02 104 ,  C09D 5/00 A ,  C09D 5/24 ,  C09D165/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 伝導性被覆
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-128804   Applicant：バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト