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J-GLOBAL ID：200903044363346041

半導体素子用の絶縁膜及びその絶縁膜成膜方法

Inventor： 向島 美香 ,  楡 孝
Applicant, Patent owner： 株式会社小松製作所
Agent (1)： 木村 高久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001378861
Publication number (International publication number)：2002252226
Application date： Dec. 12, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 約2.0以下の比誘電率を有する半導体素子用の絶縁膜及びその絶縁膜成膜方法を提供すること。【解決手段】 半導体素子用の絶縁膜100は、基板60上に凝集体110が堆積され、更に緻密膜120が生成された多層構造で形成されている。絶縁膜100の成膜に際しては、約1KPaの圧力においてレーザアブレーションを実施することにより凝集体110を作製する。次に、約1KPaの圧力から約10Paの圧力に遷移させ、この約10Paの圧力の下で、圧力以外のパラメータ(例えばレーザエネルギー密度)を調整して、レーザアブレーションを実施することにより緻密膜120を作製する。凝集体110及び緻密膜120から構成される多層構造の各層の厚さ、及び各層の厚さの比は、ターゲット70へのレーザ光の照射回数を調整することにより調整する。

Claim (excerpt)：

基板上に成膜される半導体素子用の絶縁膜において、前記基板の成膜する面に対し垂直方向に凝集体と緻密膜とを有する多層構造で形成されていることを特徴とする半導体素子用の絶縁膜。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/316 M ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/90 M

F-Term (24)：

4K029BA46 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB20 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS10 ,  5F033TT01 ,  5F033TT02 ,  5F033TT03 ,  5F033XX24 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF17 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ02