Pat

J-GLOBAL ID：200903044374645261

半導体レーザ素子用反射膜及びその製造方法

Inventor： 御所 真一郎
Applicant, Patent owner： 日本ビクター株式会社
Agent (1)： 梶原 康稔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997365765
Publication number (International publication number)：1999186656
Application date： Dec. 22, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 信頼性の高い安定した特性が得られるとともに、複数波長のレーザ光を発振するレーザ装置に簡便に形成する。【解決手段】 GaAsレーザ素子基板の共振器端面上に第1層目としてAl2O3膜を、成膜温度130°Cでスパッタ法によって成膜し、膜厚を光学膜厚でλ/16に制御する。次に、第2層目のα-Si:H膜を、成膜温度200°Cでスパッタ成膜する。第2層膜の光学膜厚は、λ/8に制御する。次に、第3層目のAl2O3膜を、成膜温度130°Cでスパッタ成膜する。第3層膜の光学膜厚は、λ/16に制御する。次に、第4層目のα-Si:H膜を、成膜温度200°Cでスパッタ成膜する。第4層膜18の光学膜厚は、λ/8に制御する。次に、第5層目のAl2O3膜を、成膜温度130°Cでスパッタ成膜する。第5層膜の光学膜厚は、λ/16に制御する。

Claim (excerpt)：

半導体レーザ素子の共振器端面に形成される積層構造の反射膜において、第1の温度で形成される第1の光学膜厚の第1の膜と、第2の温度で形成される第2の光学膜厚の第2の膜を、交互に積層したことを特徴とする半導体レーザ素子用反射膜。