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J-GLOBAL ID：200903044378294609

ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor： 水谷 一良 ,  宇野 誠次
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000246734
Publication number (International publication number)：2002062654
Application date： Aug. 16, 2000
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物をを提供すること。【解決手段】 特定の構造単位を有する酸分解性ポリシロキサンを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

下記(I)で示される構造単位を有する酸分解性ポリシロキサンを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】L1は-A-OCO-、-A-COO-、-A-NHCO-、-A-NHCOO-、-A-NHCONH-、-A-CONH-、-A-OCONH-、-A-S-から選ばれる2価の連結基を表す。Aは単結合、アリーレン基、または単環式あるいは有橋式の脂環構造である2価の連結基を表す。M1は、メチリディン、3価の単環式若しくは有橋式の脂環基、又は3価の芳香環基を表す。nは1〜6の整数を表す。Qは、酸で分解してカルボン酸を発生する基を表す。R'〜R'''は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、トリアルキルシリルオキシ基から選ばれる基を示す。

IPC (8)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 77/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

FI (8)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 77/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (51)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB34 ,  2H025CB43 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J002CP071 ,  4J002EA059 ,  4J002EB029 ,  4J002EB116 ,  4J002ED029 ,  4J002ED038 ,  4J002EE039 ,  4J002EH039 ,  4J002EH048 ,  4J002EH058 ,  4J002EL069 ,  4J002EN007 ,  4J002EP019 ,  4J002ER027 ,  4J002ES006 ,  4J002EU027 ,  4J002EU029 ,  4J002EU047 ,  4J002EU127 ,  4J002EU137 ,  4J002EU147 ,  4J002EU186 ,  4J002EU226 ,  4J002EV209 ,  4J002EV236 ,  4J002EV296 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  4J035BA12 ,  4J035CA071 ,  4J035CA101 ,  4J035CA182 ,  4J035CA212 ,  4J035CA25M ,  4J035CA25U ,  4J035LB16