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J-GLOBAL ID：200903044379731735

ダイヤモンド様炭素膜積層体及びその製造方法

Inventor： 王 彩鉉 ,  友景 肇 ,  崔 雲 ,  井芹 陽一
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  ミツミ電機株式会社
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001307435
Publication number (International publication number)：2003113470
Application date： Oct. 03, 2001
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】 基板がシリコン以外の場合でも、基板上に円滑に形成することができるダイヤモンド様炭素膜積層体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンを除く基板(ガラス基板)1と、この基板1上の下層から上層に順次グラファイト成分が多いsp2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層2Aからダイヤモンド成分が多いsp3 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層2Bを有するダイヤモンド様炭素膜2を具備する。

Claim (excerpt)：

(a)ダイヤモンド成分が多いsp3 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素の表面エネルギーと異なる表面エネルギーを持つ基板と、(b)該基板側から順にグラファイト成分が多いsp2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層からダイヤモンド成分が多いsp3 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層を有するダイヤモンド様炭素膜を具備するダイヤモンド様炭素膜積層体。

IPC (4)：

C23C 16/27 ,  C23C 14/06 ,  H01J 1/304 ,  H01J 9/02

FI (4)：

C23C 16/27 ,  C23C 14/06 F ,  H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F

F-Term (10)：

4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K030BA28 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA07