多重ドメイン液晶表示装置及びその薄膜トランジスタ基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小野由己男 , 稲積朋子
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004504043
Publication number (International publication number)：2005524875
Application date： Jul. 24, 2002
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：

【課題】製造工程が簡単で安定した多重ドメインを形成するための液晶表示装置の提供【解決手段】維持電極線に連結された薄膜トランジスタに方向制御電極をスイッチングし、データ線に連結された薄膜トランジスタに画素電極をスイッチングし、画素電極と方向制御電極178は容量性結合をなす液晶表示装置と薄膜トランジスタ基板を、簡単な製造工程によって用意し、同一な階調では画素電極と方向制御電極の間の電位差の偏差がないようにする。したがって、安定した輝度実現が可能となり、線反転駆動や点反転駆動など駆動方法に拘束されることなく適用することができ、また、データ線の負荷増加も誘発しなくなる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されている第1配線と、前記絶縁基板上に形成され、前記第1配線と絶縁して交差している第2配線と、前記絶縁基板上に形成され、前記第2配線と絶縁して交差している第3配線と、前記第1配線と前記第2配線が交差して定義する画素領域ごとに形成されており、切開部を有する画素電極と、前記第1配線と前記第2配線が交差して定義する画素領域ごとに形成されている方向制御電極、前記第1配線と前記第2配線と前記画素電極とに連結されている第1薄膜トランジスタと、前記第1配線と前記第3配線と前記方向制御電極とに連結されている第2薄膜トランジスタと、を含むことを特徴とする、薄膜トランジスタ基板。

IPC (5)：

G02F1/1368 , G02F1/1337 , G02F1/1343 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (6)：

G02F1/1368 , G02F1/1337 500 , G02F1/1337 520 , G02F1/1343 , H01L29/78 614 , H01L29/78 612Z

F-Term (62)：

2H090HA03 , 2H090HA16 , 2H090HB07Y , 2H090HD05 , 2H090LA01 , 2H090LA04 , 2H090LA15 , 2H090MA01 , 2H090MA02 , 2H090MA07 , 2H090MA15 , 2H090MB14 , 2H092GA13 , 2H092GA29 , 2H092HA04 , 2H092JA26 , 2H092JA46 , 2H092JB05 , 2H092JB09 , 2H092JB42 , 2H092JB52 , 2H092JB69 , 2H092NA04 , 2H092NA27 , 2H092PA08 , 2H092PA09 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

マルチドメイン液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-233713 Applicant：日本電気株式会社

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